From 26d006abf5432b2dfaba6f9dcd169465eaeed4f0 Mon Sep 17 00:00:00 2001 From: Matthias Jung Date: Sun, 9 Aug 2026 12:54:53 +0200 Subject: [PATCH] fix: text transistor E --- contents/drawings/863.svg | 93 +++++++++++++++++-------------- contents/drawings/863.tex | 1 + contents/sections/transistor_1.md | 4 +- 3 files changed, 54 insertions(+), 44 deletions(-) diff --git a/contents/drawings/863.svg b/contents/drawings/863.svg index ae863d0..8cb875b 100644 --- a/contents/drawings/863.svg +++ b/contents/drawings/863.svg @@ -1,100 +1,109 @@ - + - + - + - + - + - + - + - + - + - + - + - - - - - - + + + + + + - + - + - + - + - - + + - + - + - + - + - + - + - + - + - + - - + + - + - + - + - - + + - + - - + + + + + + + + + + + diff --git a/contents/drawings/863.tex b/contents/drawings/863.tex index 69b0617..b636c10 100644 --- a/contents/drawings/863.tex +++ b/contents/drawings/863.tex @@ -16,4 +16,5 @@ \draw [DARCgray] (npn.C) node[anchor=south west](cc){C}; \draw [DARCblue](bb.south west) to[open, v=$U_\text{BE}$ , color=DARCblue] (ee.west); \draw [DARCblue](cc.east) to[open, v^=$U_\text{CE}$, color=DARCblue, voltage/distance from node=1] (ee.east); + \draw [DARCblue](cc.west) to[open, v=$U_\text{CB}$, color=DARCblue, voltage/distance from node=1] (bb.north); \end{circuitikz} \ No newline at end of file diff --git a/contents/sections/transistor_1.md b/contents/sections/transistor_1.md index 9400d1f..be295b1 100644 --- a/contents/sections/transistor_1.md +++ b/contents/sections/transistor_1.md @@ -33,7 +33,7 @@ Im aktiven Betrieb ist die Emitter-Basis-Diode stets in Flussrichtung geschaltet Die Transistorfunktion stellt sich aber nur ein, wenn die Basiszone zwischen Emitter und Kollektor maximal wenige Mikrometer breit ist. Also können wir keinen Transistor erzeugen, indem wir zwei separate Dioden aneinander löten. -Die minimale Spannung am Emitter-Basis-Übergang hängt vom verwendeten Halbleiter ab. Bei einem Silizium-NPN-Transistor muss die Basis etwa $\qty{0,6}{\volt}$ positiver als der Emitter sein, beim Silizium-PNP-Transistor etwa $\qty{0,6}{\volt}$ negativer. +Die minimale Spannung am Emitter-Basis-Übergang hängt vom verwendeten Halbleiter ab. Bei einem Silizium-NPN-Transistor muss die Basis etwa $\qty{0,6}{\volt}$ positiver als der Emitter sein, beim Silizium-PNP-Transistor etwa $\qty{0,6}{\volt}$ negativer. Diese Spannung wird als Basis-Emitter-Spannung $U_\mathrm{BE}$ bezeichnet. [question:EC610] [question:EC612] @@ -49,7 +49,7 @@ Die minimale Spannung am Emitter-Basis-Übergang hängt vom verwendeten Halbleit --- -Die Ströme und Spannungen an einem NPN-Transistor sind in der Abbildung [ref:e_npn_i_u] dargestellt. Die Basis-Emitter-Spannung $U_\mathrm{BE}$ kennen wir bereits, ebenso die Kollektor-Basis-Spannung $U_\mathrm{CB}$. Der Kollektorstrom $I_\mathrm{C}$ hängt exponentiell von der Basis-Emitter-Spannung ab: +Die Ströme und Spannungen an einem NPN-Transistor sind in der Abbildung [ref:e_npn_i_u] dargestellt. Die Basis-Emitter-Spannung $U_\mathrm{BE}$ kennen wir bereits. Ebenso gibt es noch die Kollektor-Basis-Spannung $U_\mathrm{CB}$ und die Kollektor-Emitter-Spannung $U_\mathrm{CE}$. Der Kollektorstrom $I_\mathrm{C}$ hängt exponentiell von der Basis-Emitter-Spannung ab: $I_\mathrm{C} = I_\mathrm{S}\ e^{\frac{U_\mathrm{BE}}{U_\mathrm{T}}}$