diff --git a/contents/sections/strahlengang_aufenthalt.md b/contents/sections/strahlengang_aufenthalt.md index c3ccd30..90a27ac 100644 --- a/contents/sections/strahlengang_aufenthalt.md +++ b/contents/sections/strahlengang_aufenthalt.md @@ -1,6 +1,6 @@ % Quelle: % https://www.bfs.de/DE/themen/emf/hff/wirkung/hff-nachgewiesen/hff-nachgewiesen.html -Bei Mikrowellen werden im Amateurfunk häufig Parabolantennen oder Helixantennen eingesetzt. Beiden Antennen ist gemeinsam, dass damit ein sehr großer Antennengewinn erzielt werden kann. Aus wenigen Watt, sogar aus wenigen Milliwatt werden beachtliche Strahlungsleistungen. Bei Parabolantennen ist ein Gewinn von $\qty{20}{\dB}$ relativ einfach zu erreichen. So wird aus einer Sendeleistung von \qty{1}{\watt} eine Strahlungsleistung von $\qty{100}{\watt}$. Hat der Spiegel einen Gewinn von $\qty{30}{\dB}$ sind es sogar $\qty{1000}{\watt}$. Entsprechend stark sind die elektromagnetischen Felder in der Strahlungskeule. +Bei Mikrowellen werden im Amateurfunk häufig Parabolantennen oder Helixantennen eingesetzt. Beiden Antennen ist gemeinsam, dass damit ein sehr großer Antennengewinn erzielt werden kann. Aus wenigen Watt, sogar aus wenigen Milliwatt werden beachtliche Strahlungsleistungen. Bei Parabolantennen ist ein Gewinn von $\qty{20}{\dB}$ relativ einfach zu erreichen. So wird aus einer Sendeleistung von \qty{1}{\watt} eine Strahlungsleistung von $\qty{100}{\watt}$. Hat der Spiegel einen Gewinn von $\qty{30}{\dB}$ sind es sogar $\qty{1000}{\watt}$. Entsprechend stark sind die elektromagnetischen Felder in der Strahlungskeule. Hochfrequente elektromagnetische Felder wirken auf den menschlichen Körper hauptsächlich thermisch, also durch Erwärmung von Gewebe. Besonders empfindlich sind dabei Organe mit geringer Wärmeabfuhr, wie die Augen und das Gehirn. Auch die Fortpflanzungsorgane sind temperaturabhängig empfindlich, weshalb entsprechende Schutzmaßnahmen für alle Menschen notwendig sind. diff --git a/contents/sections/transistor_1.md b/contents/sections/transistor_1.md index 7a3b8ae..198b130 100644 --- a/contents/sections/transistor_1.md +++ b/contents/sections/transistor_1.md @@ -47,11 +47,17 @@ Die minimale Spannung am Emitter-Basis-Übergang hängt vom verwendeten Halbleit [picture:863:e_npn_i_u:Ströme uns Spannungen an einem npn-Transistor] +--- + Die Ströme und Spannungen an einem npn-Transistor sind in der Abbildung [ref:e_npn_i_u] dargestellt. Die Basis-Emitter-Spannung $U_{BE}$ kennen wir bereits, ebenso die Kollektor-Basis-Spannung $U_{CB}$. Der Kollektorstrom $I_C$ hängt exponentiell von der Basis-Emitter-Spannung ab: -$I_C = I_0\ e^{\frac{U_{BE}}{U_T}}$ +$I_C = I_\text{S}\ e^{\frac{U_{BE}}{U_T}}$ -$U_T$ ist bei Raumtemperatur etwa 26 mV. +$U_T$ ist bei Raumtemperatur etwa 26 mV. + + +$I_\text{S}$ bezeichnet den sogenannten Sättigungs-Sperrstrom eines Bipolartransistors. Er ist ein charakteristischer Bauteilparameter und steht in engem Zusammenhang mit der Emitter-Basis-Diode. Dabei handelt es sich um einen sehr kleinen Leckstrom, der auch dann durch den Transistor fließt, wenn die Basis-Emitter-Strecke nicht leitend ist. + Der Basisstrom $I_B$ hat in weiten Betriebsbereichen die gleiche Spannungsabhängig wie der Kollektorstrom, sodass das Verhältnis von Kollektorstrom und Basisstrom konstant ist: