diff --git a/contents/slides/dezibel_1.md b/contents/slides/dezibel_1.md index a1faef2..552f852 100644 --- a/contents/slides/dezibel_1.md +++ b/contents/slides/dezibel_1.md @@ -98,12 +98,12 @@ $\unit{\dBm}$ = Dezibel bezogen auf $\unit{\milli\watt}$ ### Berechnung mit Taschenrechner Ältere Modelle -* Faktor-Wert → *log*-Taste → ×10 → dB -* $\unit{\dB}$-Wert → ÷10 → *10x*-Taste → Faktor +* Faktor-Wert $\rightarrow$ *log*-Taste $\rightarrow\times 10 \rightarrow\unit{\dB}$ +* $\unit{\dB}$-Wert $\rightarrow\div 10 \rightarrow$ *$10^x$*-Taste $\rightarrow$ Faktor Neuere Modelle -* *log*-Taste → Faktor-Wert → *)*-Taste → ×10 → *=*-Taste → dB -* *10x*-Taste → $\unit{\dB}$-Wert → ÷10 → *=*-Taste → Faktor +* *log*-Taste $\rightarrow$ Faktor-Wert $\rightarrow$ *)*-Taste $\rightarrow\times 10 \rightarrow$ *=*-Taste $\rightarrow\unit{\dB}$ +* *$10^x$*-Taste $\rightarrow$ $\unit{\dB}$-Wert $\rightarrow \div 10 \rightarrow$ *=*-Taste $\rightarrow$ Faktor --- [question:EA107] \ No newline at end of file diff --git a/contents/slides/dezibel_2.md b/contents/slides/dezibel_2.md index 16f9148..cb249ec 100644 --- a/contents/slides/dezibel_2.md +++ b/contents/slides/dezibel_2.md @@ -12,15 +12,15 @@ Faktor 10 *Leistung bezogen auf $\qty{1}{\milli\watt}$* $p = 10\cdot \log_{10}\left(\frac{P}{\qty{1}{\milli\watt}}\right)\unit{\dBm}$ -→ $\qty{0}{\dBm}$ liegt bei $P = \qty{1}{\milli\watt}$ vor +$\rightarrow\qty{0}{\dBm}$ liegt bei $P = \qty{1}{\milli\watt}$ vor -*Leistung bezogen auf \qty{1}{\watt}* +*Leistung bezogen auf $\qty{1}{\watt}$* $p = 10\cdot \log_{10}\left(\frac{P}{\qty{1}{\watt}}\right)\unit{\dBW}$ -→ $\qty{0}{\dBW}$ liegt bei $P = \qty{1}{\watt}$ vor +$\rightarrow\qty{0}{\dBW}$ liegt bei $P = \qty{1}{\watt}$ vor --- @@ -35,21 +35,21 @@ Nur einsetzen ## Spannungspegel -Faktor 20 +Faktor $20$ $u = 20\cdot \log_{10}\left(\frac{U}{\qty{0,775}{\volt}}\right)\unit{\dBu}$ *Spannung bezogen auf $\qty{0,775}{\volt}$* -→ $\qty{0}{\dBu}$ liegt bei $U = \qty{0,775}{\volt}$ vor +$\rightarrow\qty{0}{\dBu}$ liegt bei $U = \qty{0,775}{\volt}$ vor *Spannung bezogen auf $\qty{1}{\volt}$* -→ $\qty{0}{\dBV}$ liegt bei $U = \qty{1}{\volt}$ vor +$\rightarrow\qty{0}{\dBV}$ liegt bei $U = \qty{1}{\volt}$ vor *Spannung bezogen auf $\qty{1}{\micro\volt}$* -→ $\qty{0}{\dBuV}$ liegt bei $U = \qty{1}{\micro\volt}$ vor +$\rightarrow\qty{0}{\dBuV}$ liegt bei $U = \qty{1}{\micro\volt}$ vor diff --git a/contents/slides/diode_1.md b/contents/slides/diode_1.md index 9d163ce..32f9c53 100644 --- a/contents/slides/diode_1.md +++ b/contents/slides/diode_1.md @@ -21,7 +21,7 @@ ## Schwellenspannung -* Damit eine Diode in Durchlassrichtung leitet, muss eine bestimmte Spannung – die Schwellenspannung oder Durchlassspannung – überschritten werden +* Damit eine Diode in Durchlassrichtung leitet, muss eine bestimmte Spannung – die Schwellenspannung oder Durchlassspannung – überschritten werden * Je nach Basis des chemischen Elements ist die Schwellenspannung unterschiedlich hoch diff --git a/contents/slides/diode_2.md b/contents/slides/diode_2.md index 262a1e6..e7a172c 100644 --- a/contents/slides/diode_2.md +++ b/contents/slides/diode_2.md @@ -38,7 +38,7 @@ Je negativer die Diodenspannung, umso mehr dehnt sich die Raumladungszone aus un * Begrenzung der Amplitude einer Wechselspannung * Silizium: ca. $\qty{0,6}{\volt}$ Schwellspannung * Germanium: ca. $\qty{0,3}{\volt}$ Schwellspannung -* → *Clipping* +* $\rightarrow$ *Clipping* Schwellspannungen sind Klasse E Stoff diff --git a/contents/slides/halbleiter_2.md b/contents/slides/halbleiter_2.md index 43eab53..d3f7f6b 100644 --- a/contents/slides/halbleiter_2.md +++ b/contents/slides/halbleiter_2.md @@ -18,8 +18,8 @@ Häufige Halbleitergrundstoffe: Silizium (Si), Germanium (Ge), Galliumarsenid (G ## Dotierung * "Verunreinigung" der Halbleiter -* Stoffe mit 5 Elektronen auf der äußeren Schale → Elektronenüberschuss → *n-Dotierung* -* Stoffe mit 3 Elektronen auf der äußeren Schale → Elektronenmangel ("Loch") → *p-Dotierung* +* Stoffe mit 5 Elektronen auf der äußeren Schale $\rightarrow$ Elektronenüberschuss $\rightarrow$ *n-Dotierung* +* Stoffe mit 3 Elektronen auf der äußeren Schale $\rightarrow$ Elektronenmangel ("Loch") $\rightarrow$ *p-Dotierung* --- @@ -43,7 +43,7 @@ Löcher sind eigentlich nicht beweglich, aber durch den Elektronenfluss sieht es [picture:857:a_pn_uebergang:PN-Übergang] * n-dotierter Halbleiter an p-dotieren Halbleiter -* Elektronen aus dem n-dotieren Gebiet wandern in das p-dotierte Gebiet → *Diffusion* +* Elektronen aus dem n-dotieren Gebiet wandern in das p-dotierte Gebiet $\rightarrow$ *Diffusion* * Es entsteht eine *Verarmungszone* oder *Sperrschicht* diff --git a/contents/slides/kondensator_1.md b/contents/slides/kondensator_1.md index b5a4e53..d21785c 100644 --- a/contents/slides/kondensator_1.md +++ b/contents/slides/kondensator_1.md @@ -1,7 +1,7 @@ ## Kapazität * Wichtigste Eigenschaft des Kondensators: Ladung speichern -* → Kapazität +* $\rightarrow$ Kapazität $C = \dfrac{Q}{U}$ @@ -23,7 +23,7 @@ $C = \dfrac{Q}{U}$ $C = \dfrac{\varepsilon_0 \cdot \varepsilon_r \cdot A}{d}$ -* → Kapazität ist größer bei größerer Fläche, kleinem Abstand oder anderem Dielektrikum +* $\rightarrow$ Kapazität ist größer bei größerer Fläche, kleinem Abstand oder anderem Dielektrikum * $\varepsilon_0 = \qty{0,855e-11}{\ampere\second\per\volt\meter}$: elektrische Feldkonstante @@ -50,7 +50,7 @@ $C = \dfrac{\varepsilon_0 \cdot \varepsilon_r \cdot A}{d}$ * Eine Platte ist feststehend, die andere Platte kann drehend bewegt werden * Nur dort, wo die Platten sich überlappen, wirkt der Kondensator -* Die Fläche wird durch Drehung verändert → Änderung der Kapazität +* Die Fläche wird durch Drehung verändert $\rightarrow$ Änderung der Kapazität [picture:840:e_kondensator_drehkondensator:Drehkondensator] diff --git a/contents/slides/kondensator_2.md b/contents/slides/kondensator_2.md index f02cb0f..b4242d6 100644 --- a/contents/slides/kondensator_2.md +++ b/contents/slides/kondensator_2.md @@ -37,7 +37,7 @@ Im eingeschwungenen Zustand fließt nahezu kein Strom mehr, weshalb die Leistung --- style="font-size: smaller;" ### Kapazitiver Blindwiderstand $X_{\textrm{C}}$ -Kondensator wird an Wechselspannung angeschlossen ständig geladen und entladen → Wechselstromwiderstand / kapazitiver Blindwiderstand +Kondensator wird an Wechselspannung angeschlossen ständig geladen und entladen $\rightarrow$ Wechselstromwiderstand / kapazitiver Blindwiderstand 1. Wenn die Frequenz der Wechselspannung an einem Kondensator erhöht wird, dann fließt mehr Strom; dies bedeutet, der kapazitive Blindwiderstand ist kleiner geworden. diff --git a/contents/slides/leistung.md b/contents/slides/leistung.md index 0394ba6..1763128 100644 --- a/contents/slides/leistung.md +++ b/contents/slides/leistung.md @@ -1,7 +1,7 @@ * Elektrische Geräte haben eine Leistungsaufnahme angegeben * Beispiele: LED-Leuchtmittel $\qty{7}{\watt}$, Staubsauger $\qty{425}{\watt}$ * An jedem Widerstand wird elektrische Leistung umgesetzt -* Strom fließt durch einen Widerstand → Umwandlung von elektrischer Energie in thermische Energie +* Strom fließt durch einen Widerstand $\rightarrow$ Umwandlung von elektrischer Energie in thermische Energie * Je größer der Strom, desto mehr Wärme --- diff --git a/contents/slides/oszilloskop_1.md b/contents/slides/oszilloskop_1.md index be1650f..35af838 100644 --- a/contents/slides/oszilloskop_1.md +++ b/contents/slides/oszilloskop_1.md @@ -31,7 +31,7 @@ $T = \dfrac{1}{f} \Rightarrow f = \dfrac{1}{T}$ * Kästchen einer ganzen Periode im Nulldurchgang zählen * Mit der Zeiteinheit multiplizieren -* Bei 8 Kästchen und $\qty{2}{\milli\second}$ pro Kästchen → $8 \cdot \qty{2}{\milli\second} = \qty{16}{\milli\second}$ +* Bei 8 Kästchen und $\qty{2}{\milli\second}$ pro Kästchen $\rightarrow 8 \cdot \qty{2}{\milli\second} = \qty{16}{\milli\second}$ [picture:36:e_sinuswelle_oszilloskop:Eine Sinuswelle auf dem Bildschirm eine Oszilloskops] diff --git a/contents/slides/phase.md b/contents/slides/phase.md index 4e719af..e312a83 100644 --- a/contents/slides/phase.md +++ b/contents/slides/phase.md @@ -5,7 +5,7 @@ * Erzeugung durch drehende Spule in einem Magnetfeld * Für eine Umdrehung wird eine bestimmte Zeit benötigt -* Zu jedem Zeitpunkt steht die Spule in einem bestimmten Winkel → *Phasenwinkel* +* Zu jedem Zeitpunkt steht die Spule in einem bestimmten Winkel $\rightarrow$ *Phasenwinkel* --- [question:AB302] diff --git a/contents/slides/recht_zum_selbstbau.md b/contents/slides/recht_zum_selbstbau.md index 4878212..6b5b84d 100644 --- a/contents/slides/recht_zum_selbstbau.md +++ b/contents/slides/recht_zum_selbstbau.md @@ -16,7 +16,7 @@ Dieses Privileg erhalten Funkamateure durch die technisch anspruchsvolle Prüfun * Zum Selbstbau werden verschiede elektronische Bauteile benötigt * Diese weisen unterschiedliche Eigenschaften auf -* In Klasse N gibt es nur wenige, einfache Schaltungen → mehr in Klasse E und A +* In Klasse N gibt es nur wenige, einfache Schaltungen $\rightarrow$ mehr in Klasse E und A * Kenntnisse der Symbole und Bezeichnungen reichen diff --git a/contents/slides/spule_1.md b/contents/slides/spule_1.md index 66f6398..e8aa70a 100644 --- a/contents/slides/spule_1.md +++ b/contents/slides/spule_1.md @@ -36,8 +36,8 @@ $L = \dfrac{N\cdot \Phi}{I}$ $L = \dfrac{\mu_0 \cdot \mu_r \cdot N^2 \cdot A_S}{l}$ -* → Induktivität ist größer bei größerem Querschnitt, anderem Kern oder kleinerer Länge -* → Induktivität ist viel größer bei höherer Windungszahl +* $\rightarrow$ Induktivität ist größer bei größerem Querschnitt, anderem Kern oder kleinerer Länge +* $\rightarrow$ Induktivität ist viel größer bei höherer Windungszahl * $\mu_0 = \qty{1,2566e-6}{\henry\per\meter}$: magnetische Feldkonstante @@ -68,8 +68,8 @@ $L = \dfrac{\mu_0 \cdot \mu_r \cdot N^2 \cdot A_S}{l}$ * Strom braucht länger durch die Spule -* Erst leuchtet Lampe1 -* Später leuchtet Lampe2 +* Erst leuchtet Lampe$_1$ +* Später leuchtet Lampe$_2$ [picture:541:e_stromkreis_mit_spule:Stromkreis mit Spule] diff --git a/contents/slides/spule_2.md b/contents/slides/spule_2.md index f57e3c2..8ac5e2d 100644 --- a/contents/slides/spule_2.md +++ b/contents/slides/spule_2.md @@ -37,7 +37,7 @@ Merke: Bei Induktivitäten, Ströme sich verspäten -oder- Induktivitääät, St --- style="font-size: smaller;" ### Induktiver Blindwiderstand $X_{\textrm{L}}$ -Spule dreht an Wechselspannung angeschlossen ständig das magnetische Feld → Wechselstromwiderstand / induktiver Blindwiderstand +Spule dreht an Wechselspannung angeschlossen ständig das magnetische Feld $\rightarrow$ Wechselstromwiderstand / induktiver Blindwiderstand 1. Wenn die Frequenz der Wechselspannung an einer Spule erhöht wird, dann fließt weniger Strom; dies bedeutet, der induktive Blindwiderstand ist größer geworden. 2. Wenn die Induktivität der Spule erhöht wird, dann verringert sich auch der Strom, d.h. der Blindwiderstand wird auch größer. @@ -150,10 +150,10 @@ $\begin{split} L &= N^2 \cdot A_{\textrm{L}}\\ N &= \sqrt{\frac{L}{A_{\textrm{L} --- ### Scheinwiderstand -* Reihenschaltung von Blindwiderstand und Wirkwiderstand → Scheinwiderstand $Z$ +* Reihenschaltung von Blindwiderstand und Wirkwiderstand $\rightarrow$ Scheinwiderstand $Z$ * Tritt nur bei Wechselspannung auf * Kann nicht mit einem Ohm-Meter gemessen werden -* Spule in der Funktechnik → *Impedanz* +* Spule in der Funktechnik $\rightarrow$ *Impedanz* * Antennenimpedanz, Eingangs- und Ausgangsimpedanz, Impedanzwandler, … * Impedanz $Z$ in $\unit{\ohm}$ diff --git a/contents/slides/strom_spannung_messung_2.md b/contents/slides/strom_spannung_messung_2.md index ddfe39a..1e28348 100644 --- a/contents/slides/strom_spannung_messung_2.md +++ b/contents/slides/strom_spannung_messung_2.md @@ -1,7 +1,7 @@ * Der Strom wird im Stromkreis eingeschleift gemessen * Die Spannung wird über den Widerstand gemessen -* Der Widerstand im Voltmeter soll hochohmig sein → Strom nimmt den Weg des geringsten Widerstandes +* Der Widerstand im Voltmeter soll hochohmig sein $\rightarrow$ Strom nimmt den Weg des geringsten Widerstandes [picture:238:e_strom_und_spannungsmessung:Korrekte Anordnung zur Messung von Strom und Spannung an einem Widerstand] diff --git a/contents/slides/strom_spannung_messung_3.md b/contents/slides/strom_spannung_messung_3.md index 98c7bf1..8d4cc13 100644 --- a/contents/slides/strom_spannung_messung_3.md +++ b/contents/slides/strom_spannung_messung_3.md @@ -12,7 +12,7 @@ Der angezeigte Messwert unterscheidet sich meist vom tatsächlichen Wert * Innenwiderstand des Messgeräts -* Auflösungsvermögen → *kleinste Auflösung* +* Auflösungsvermögen $\rightarrow$ *kleinste Auflösung* * Anzeige verändert sich erst nach Änderung um die kleinste Auflösung * Hersteller ermittelt die Abweichung * Abweichung wird im Datenblatt angegeben diff --git a/contents/slides/transistor_1.md b/contents/slides/transistor_1.md index 2071091..196ad08 100644 --- a/contents/slides/transistor_1.md +++ b/contents/slides/transistor_1.md @@ -44,7 +44,7 @@ Die Funktion kann man sich so vorstellen: ### Bipolarer Transistor und Schaltbild -Merksatz für PNP → Pfeil Nach Platte +Merksatz für PNP $\rightarrow$ Pfeil Nach Platte [picture:374:e_schaltbild_npn_transistor:Schaltbild NPN-Transistor] @@ -131,8 +131,8 @@ $U_{ BE } = U_{ B } - U_{ E }$ Ist die Basis-Emitter-Spannung ausreichend und liegt sie im negativen Potential vor? Hier muss man auf die Vorzeichen achten und bei negativen Vorzeichen umdenken, Beispiele: -* Basis $\qty{+5,6}{\volt}$ und Emitter $\qty{+6,2}{\volt}$
⇒ Die Basis-Emitter-Spannung ist negativ und beträgt $\qty{-0,6}{\volt}$ -* Basis $\qty{-2}{\volt}$ und Emitter $\qty{-1,4}{\volt}$
⇒ Die Basis-Emitter-Spannung ist negativ und beträgt $\qty{-0,6}{\volt}$ +* Basis $\qty{+5,6}{\volt}$ und Emitter $\qty{+6,2}{\volt} \rightarrow$ Die Basis-Emitter-Spannung ist negativ und beträgt $\qty{-0,6}{\volt}$ +* Basis $\qty{-2}{\volt}$ und Emitter $\qty{-1,4}{\volt} \rightarrow$ Die Basis-Emitter-Spannung ist negativ und beträgt $\qty{-0,6}{\volt}$ --- diff --git a/contents/slides/transistor_2.md b/contents/slides/transistor_2.md index 1bf709b..1656659 100644 --- a/contents/slides/transistor_2.md +++ b/contents/slides/transistor_2.md @@ -153,18 +153,18 @@ $R_1 = \frac{U_{\textrm{R1}}}{I_{\textrm{R1}}} = \frac{\qty{8,4}{\volt}}{\qty{11 --- #### Lösungsweg -* Kein Strom durch $R_1$ → keine Spannung über $R_2$ -* Basis liegt auf Massepotential → Transistor ist stromlos -* Kein Spannungsabfall an $R_{\textrm{C}}$ → Kollektorpotential steigt auf Betriebsspannung +* Kein Strom durch $R_1 \rightarrow$ keine Spannung über $R_2$ +* Basis liegt auf Massepotential $\rightarrow$ Transistor ist stromlos +* Kein Spannungsabfall an $R_{\textrm{C}} \rightarrow$ Kollektorpotential steigt auf Betriebsspannung --- [question:AC520] --- #### Lösungsweg -* $R_2$ ist stromlos → Basis ist über $R_1$ ist mit der Betriebsspannung verbunden +* $R_2$ ist stromlos $\rightarrow$ Basis ist über $R_1$ ist mit der Betriebsspannung verbunden * Aufgrund der Dimensionierung ist der Basisstrom nun 11-fach höher als geplant -* Kollektorstrom wird stark ansteigen → Spannungsabfall an $R_{\textrm{C}}$ steigt stark +* Kollektorstrom wird stark ansteigen $\rightarrow$ Spannungsabfall an $R_{\textrm{C}}$ steigt stark * $U_{\textrm{CE}}$ sinkt auf den Sättigungswert von ca. $\qty{0,1}{\volt}$ --- @@ -298,8 +298,8 @@ MOSFET verhält sich wie ein ohmscher Widerstand ### Freilaufdiode * Relais wird über einen in Serie geschalteten Bipolartransistor betrieben -* Transistor schaltet ein → Strom fließt durch die Relaisspule -* Transistor schaltet ab → Strom in der Spule induziert negative Spannung am Transistor +* Transistor schaltet ein $\rightarrow$ Strom fließt durch die Relaisspule +* Transistor schaltet ab $\rightarrow$ Strom in der Spule induziert negative Spannung am Transistor * Kann zur Zerstörung des Transistors führen * Verhindern: *Freilaufdiode* parallel zum Relais in Sperrichtung verbauen * Induktionsspannung wird auf Diodenspannung begrenzt diff --git a/contents/slides/uebertrager_2.md b/contents/slides/uebertrager_2.md index 248890e..c59e3ae 100644 --- a/contents/slides/uebertrager_2.md +++ b/contents/slides/uebertrager_2.md @@ -7,7 +7,7 @@ * Magnetisch gekoppelte Spulen * Veränderlicher Strom in einer Spule * Erzeugt Spannung in der anderen Spule -* → Gegendinduktion +* $\rightarrow$ Gegendinduktion --- @@ -98,7 +98,7 @@ $\begin{split} ü &= \sqrt{\frac{Z_P}{Z_S}} = \sqrt{\frac{\qty{50}{\ohm}}{\qty{2 * Leitung darf nicht zu warm werden * Sonst schmilzt die Isolation * Oder der Leiter glüht -* → zulässige Stromdichte in Stromstärke bezogen auf den Leiterquerschnitt +* $\rightarrow$ zulässige Stromdichte in Stromstärke bezogen auf den Leiterquerschnitt diff --git a/contents/slides/widerstand_materialien.md b/contents/slides/widerstand_materialien.md index 2aecef3..985daad 100644 --- a/contents/slides/widerstand_materialien.md +++ b/contents/slides/widerstand_materialien.md @@ -16,7 +16,7 @@ --- [question:EC102] --- -## Metalloxid­schicht­widerstand +## Metalloxidschichtwiderstand * Ähnlich wie Metallschichtwiderstand * Induktionsarm * Für hohe Frequenzen geeignet