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contents/slides/dezibel_1.md

@@ -98,12 +98,12 @@ $\unit{\dBm}$ = Dezibel bezogen auf $\unit{\milli\watt}$
 ### Berechnung mit Taschenrechner
 
 Ältere Modelle
-* Faktor-Wert → *log*-Taste → ×10 → dB
-* $\unit{\dB}$-Wert &rarr; &div;10 &rarr; *10<sup>x</sup>*-Taste &rarr; Faktor
+* Faktor-Wert $\rightarrow$ *log*-Taste $\rightarrow\times 10 \rightarrow\unit{\dB}$
+* $\unit{\dB}$-Wert $\rightarrow\div 10 \rightarrow$ *$10^x$*-Taste $\rightarrow$ Faktor
 
 Neuere Modelle
-* *log*-Taste &rarr; Faktor-Wert &rarr; *)*-Taste &rarr; &times;10 &rarr; *=*-Taste &rarr; dB
-* *10<sup>x</sup>*-Taste &rarr; $\unit{\dB}$-Wert &rarr; &div;10 &rarr; *=*-Taste &rarr; Faktor
+* *log*-Taste $\rightarrow$ Faktor-Wert $\rightarrow$ *)*-Taste $\rightarrow\times 10 \rightarrow$ *=*-Taste $\rightarrow\unit{\dB}$
+* *$10^x$*-Taste $\rightarrow$ $\unit{\dB}$-Wert $\rightarrow \div 10 \rightarrow$ *=*-Taste $\rightarrow$ Faktor
 
 ---
 [question:EA107]

contents/slides/dezibel_2.md

@@ -12,7 +12,7 @@ Faktor 10
 *Leistung bezogen auf $\qty{1}{\milli\watt}$*
 $p = 10\cdot \log_{10}\left(\frac{P}{\qty{1}{\milli\watt}}\right)\unit{\dBm}$
 <fragment>
-&rarr; $\qty{0}{\dBm}$ liegt bei $P = \qty{1}{\milli\watt}$ vor
+$\rightarrow\qty{0}{\dBm}$ liegt bei $P = \qty{1}{\milli\watt}$ vor
 </fragment>
 
 <fragment>
@@ -20,7 +20,7 @@ $p = 10\cdot \log_{10}\left(\frac{P}{\qty{1}{\milli\watt}}\right)\unit{\dBm}$
 $p = 10\cdot \log_{10}\left(\frac{P}{\qty{1}{\watt}}\right)\unit{\dBW}$
 </fragment>
 <fragment>
-&rarr; $\qty{0}{\dBW}$ liegt bei $P = \qty{1}{\watt}$ vor
+$\rightarrow\qty{0}{\dBW}$ liegt bei $P = \qty{1}{\watt}$ vor
 </fragment>
 
 ---
@@ -41,15 +41,15 @@ $u = 20\cdot \log_{10}\left(\frac{U}{\qty{0,775}{\volt}}\right)\unit{\dBu}$
 
 <fragment>
 *Spannung bezogen auf $\qty{0,775}{\volt}$*
-&rarr; $\qty{0}{\dBu}$ liegt bei $U = \qty{0,775}{\volt}$ vor
+$\rightarrow\qty{0}{\dBu}$ liegt bei $U = \qty{0,775}{\volt}$ vor
 </fragment>
 <fragment>
 *Spannung bezogen auf $\qty{1}{\volt}$*
-&rarr; $\qty{0}{\dBV}$ liegt bei $U = \qty{1}{\volt}$ vor
+$\rightarrow\qty{0}{\dBV}$ liegt bei $U = \qty{1}{\volt}$ vor
 </fragment>
 <fragment>
 *Spannung bezogen auf $\qty{1}{\micro\volt}$*
-&rarr; $\qty{0}{\dBuV}$ liegt bei $U = \qty{1}{\micro\volt}$ vor
+$\rightarrow\qty{0}{\dBuV}$ liegt bei $U = \qty{1}{\micro\volt}$ vor
 </fragment>
 
 <note>

contents/slides/diode_1.md

@@ -21,7 +21,7 @@
 ## Schwellenspannung
 
 <left>
-* Damit eine Diode in Durchlassrichtung leitet, muss eine bestimmte Spannung &ndash; die Schwellenspannung oder Durchlassspannung &ndash; überschritten werden
+* Damit eine Diode in Durchlassrichtung leitet, muss eine bestimmte Spannung – die Schwellenspannung oder Durchlassspannung – überschritten werden
 * Je nach Basis des chemischen Elements ist die Schwellenspannung unterschiedlich hoch
 </left>
 <right>

contents/slides/diode_2.md

@@ -38,7 +38,7 @@ Je negativer die Diodenspannung, umso mehr dehnt sich die Raumladungszone aus un
 * Begrenzung der Amplitude einer Wechselspannung
 * Silizium: ca. $\qty{0,6}{\volt}$ Schwellspannung
 * Germanium: ca. $\qty{0,3}{\volt}$ Schwellspannung
-* → *Clipping*
+* $\rightarrow$ *Clipping*
 
 <note>
 Schwellspannungen sind Klasse E Stoff

contents/slides/halbleiter_2.md

@@ -18,8 +18,8 @@ Häufige Halbleitergrundstoffe: Silizium (Si), Germanium (Ge), Galliumarsenid (G
 ## Dotierung
 
 * "Verunreinigung" der Halbleiter
-* Stoffe mit 5 Elektronen auf der äußeren Schale → Elektronenüberschuss → *n-Dotierung*
-* Stoffe mit 3 Elektronen auf der äußeren Schale → Elektronenmangel ("Loch") → *p-Dotierung*
+* Stoffe mit 5 Elektronen auf der äußeren Schale $\rightarrow$ Elektronenüberschuss $\rightarrow$ *n-Dotierung*
+* Stoffe mit 3 Elektronen auf der äußeren Schale $\rightarrow$ Elektronenmangel ("Loch") $\rightarrow$ *p-Dotierung*
 
 ---
 <left>
@@ -43,7 +43,7 @@ Löcher sind eigentlich nicht beweglich, aber durch den Elektronenfluss sieht es
 <left>
 [picture:857:a_pn_uebergang:PN-Übergang]
 * n-dotierter Halbleiter an p-dotieren Halbleiter
-* Elektronen aus dem n-dotieren Gebiet wandern in das p-dotierte Gebiet &rarr; *Diffusion*
+* Elektronen aus dem n-dotieren Gebiet wandern in das p-dotierte Gebiet $\rightarrow$ *Diffusion*
 </left>
 <right>
 * Es entsteht eine *Verarmungszone* oder *Sperrschicht*

contents/slides/kondensator_1.md

@@ -1,7 +1,7 @@
 ## Kapazität
 
 * Wichtigste Eigenschaft des Kondensators: Ladung speichern
-* → Kapazität
+* $\rightarrow$ Kapazität
 
 $C = \dfrac{Q}{U}$
 
@@ -23,7 +23,7 @@ $C = \dfrac{Q}{U}$
 
 $C = \dfrac{\varepsilon_0 \cdot \varepsilon_r \cdot A}{d}$
 
-* → Kapazität ist größer bei größerer Fläche, kleinem Abstand oder anderem Dielektrikum
+* $\rightarrow$ Kapazität ist größer bei größerer Fläche, kleinem Abstand oder anderem Dielektrikum
 </left>
 <right>
 * $\varepsilon_0 = \qty{0,855e-11}{\ampere\second\per\volt\meter}$: elektrische Feldkonstante
@@ -50,7 +50,7 @@ $C = \dfrac{\varepsilon_0 \cdot \varepsilon_r \cdot A}{d}$
 <left>
 * Eine Platte ist feststehend, die andere Platte kann drehend bewegt werden
 * Nur dort, wo die Platten sich überlappen, wirkt der Kondensator
-* Die Fläche wird durch Drehung verändert &rarr; Änderung der Kapazität
+* Die Fläche wird durch Drehung verändert $\rightarrow$ Änderung der Kapazität
 </left>
 <right>
 [picture:840:e_kondensator_drehkondensator:Drehkondensator]

contents/slides/kondensator_2.md

@@ -37,7 +37,7 @@ Im eingeschwungenen Zustand fließt nahezu kein Strom mehr, weshalb die Leistung
 --- style="font-size: smaller;"
 ### Kapazitiver Blindwiderstand $X_{\textrm{C}}$
 
-Kondensator wird an Wechselspannung angeschlossen ständig geladen und entladen → Wechselstromwiderstand / kapazitiver Blindwiderstand
+Kondensator wird an Wechselspannung angeschlossen ständig geladen und entladen $\rightarrow$ Wechselstromwiderstand / kapazitiver Blindwiderstand
 
 <fragment>
 1. Wenn die Frequenz der Wechselspannung an einem Kondensator erhöht wird, dann fließt mehr Strom; dies bedeutet, der kapazitive Blindwiderstand ist kleiner geworden.

contents/slides/leistung.md

@@ -1,7 +1,7 @@
 * Elektrische Geräte haben eine Leistungsaufnahme angegeben
 * Beispiele: LED-Leuchtmittel $\qty{7}{\watt}$, Staubsauger $\qty{425}{\watt}$
 * An jedem Widerstand wird elektrische Leistung umgesetzt
-* Strom fließt durch einen Widerstand → Umwandlung von elektrischer Energie in thermische Energie
+* Strom fließt durch einen Widerstand $\rightarrow$ Umwandlung von elektrischer Energie in thermische Energie
 * Je größer der Strom, desto mehr Wärme
 
 ---

contents/slides/oszilloskop_1.md

@@ -31,7 +31,7 @@ $T = \dfrac{1}{f} \Rightarrow f = \dfrac{1}{T}$
 <left>
 * Kästchen einer ganzen Periode im Nulldurchgang zählen
 * Mit der Zeiteinheit multiplizieren
-* Bei 8 Kästchen und $\qty{2}{\milli\second}$ pro Kästchen &rarr; $8 \cdot \qty{2}{\milli\second} = \qty{16}{\milli\second}$
+* Bei 8 Kästchen und $\qty{2}{\milli\second}$ pro Kästchen $\rightarrow 8 \cdot \qty{2}{\milli\second} = \qty{16}{\milli\second}$
 </left>
 <right>
 [picture:36:e_sinuswelle_oszilloskop:Eine Sinuswelle auf dem Bildschirm eine Oszilloskops]

contents/slides/phase.md

@@ -5,7 +5,7 @@
 <right>
 * Erzeugung durch drehende Spule in einem Magnetfeld
 * Für eine Umdrehung wird eine bestimmte Zeit benötigt
-* Zu jedem Zeitpunkt steht die Spule in einem bestimmten Winkel &rarr; *Phasenwinkel*
+* Zu jedem Zeitpunkt steht die Spule in einem bestimmten Winkel $\rightarrow$ *Phasenwinkel*
 </right>
 ---
 [question:AB302]

contents/slides/recht_zum_selbstbau.md

@@ -16,7 +16,7 @@ Dieses Privileg erhalten Funkamateure durch die technisch anspruchsvolle Prüfun
 
 * Zum Selbstbau werden verschiede elektronische Bauteile benötigt
 * Diese weisen unterschiedliche Eigenschaften auf
-* In Klasse N gibt es nur wenige, einfache Schaltungen → mehr in Klasse E und A
+* In Klasse N gibt es nur wenige, einfache Schaltungen $\rightarrow$ mehr in Klasse E und A
 * Kenntnisse der Symbole und Bezeichnungen reichen
 
 <note>

contents/slides/spule_1.md

@@ -36,8 +36,8 @@ $L = \dfrac{N\cdot \Phi}{I}$
 
 $L = \dfrac{\mu_0 \cdot \mu_r \cdot N^2 \cdot A_S}{l}$
 
-* → Induktivität ist größer bei größerem Querschnitt, anderem Kern oder kleinerer Länge
-* → Induktivität ist viel größer bei höherer Windungszahl
+* $\rightarrow$ Induktivität ist größer bei größerem Querschnitt, anderem Kern oder kleinerer Länge
+* $\rightarrow$ Induktivität ist viel größer bei höherer Windungszahl
 </left>
 <right>
 * $\mu_0 = \qty{1,2566e-6}{\henry\per\meter}$: magnetische Feldkonstante
@@ -68,8 +68,8 @@ $L = \dfrac{\mu_0 \cdot \mu_r \cdot N^2 \cdot A_S}{l}$
 
 <left>
 * Strom braucht länger durch die Spule
-* Erst leuchtet Lampe<sub>1</sub>
-* Später leuchtet Lampe<sub>2</sub>
+* Erst leuchtet Lampe$_1$
+* Später leuchtet Lampe$_2$
 </left>
 <right>
 [picture:541:e_stromkreis_mit_spule:Stromkreis mit Spule]

contents/slides/spule_2.md

@@ -37,7 +37,7 @@ Merke: Bei Induktivitäten, Ströme sich verspäten -oder- Induktivitääät, St
 --- style="font-size: smaller;"
 ### Induktiver Blindwiderstand $X_{\textrm{L}}$
 
-Spule dreht an Wechselspannung angeschlossen ständig das magnetische Feld → Wechselstromwiderstand / induktiver Blindwiderstand
+Spule dreht an Wechselspannung angeschlossen ständig das magnetische Feld $\rightarrow$ Wechselstromwiderstand / induktiver Blindwiderstand
 
 1. Wenn die Frequenz der Wechselspannung an einer Spule erhöht wird, dann fließt weniger Strom; dies bedeutet, der induktive Blindwiderstand ist größer geworden.
 2. Wenn die Induktivität der Spule erhöht wird, dann verringert sich auch der Strom, d.h. der Blindwiderstand wird auch größer.
@@ -150,10 +150,10 @@ $\begin{split} L &= N^2 \cdot A_{\textrm{L}}\\ N &= \sqrt{\frac{L}{A_{\textrm{L}
 ---
 ### Scheinwiderstand
 
-* Reihenschaltung von Blindwiderstand und Wirkwiderstand → Scheinwiderstand $Z$
+* Reihenschaltung von Blindwiderstand und Wirkwiderstand $\rightarrow$ Scheinwiderstand $Z$
 * Tritt nur bei Wechselspannung auf
 * Kann nicht mit einem Ohm-Meter gemessen werden
-* Spule in der Funktechnik → *Impedanz*
+* Spule in der Funktechnik $\rightarrow$ *Impedanz*
 * Antennenimpedanz, Eingangs- und Ausgangsimpedanz, Impedanzwandler, …
 * Impedanz $Z$ in $\unit{\ohm}$
 

contents/slides/strom_spannung_messung_2.md

@@ -1,7 +1,7 @@
 <left>
 * Der Strom wird im Stromkreis eingeschleift gemessen
 * Die Spannung wird über den Widerstand gemessen
-* Der Widerstand im Voltmeter soll hochohmig sein &rarr; Strom nimmt den Weg des geringsten Widerstandes
+* Der Widerstand im Voltmeter soll hochohmig sein $\rightarrow$ Strom nimmt den Weg des geringsten Widerstandes
 </left>
 <right>
 [picture:238:e_strom_und_spannungsmessung:Korrekte Anordnung zur Messung von Strom und Spannung an einem Widerstand]

contents/slides/strom_spannung_messung_3.md

@@ -12,7 +12,7 @@
 
 Der angezeigte Messwert unterscheidet sich meist vom tatsächlichen Wert
 * Innenwiderstand des Messgeräts
-* Auflösungsvermögen → *kleinste Auflösung*
+* Auflösungsvermögen $\rightarrow$ *kleinste Auflösung*
 * Anzeige verändert sich erst nach Änderung um die kleinste Auflösung
 * Hersteller ermittelt die Abweichung
 * Abweichung wird im Datenblatt angegeben

contents/slides/transistor_1.md

@@ -44,7 +44,7 @@ Die Funktion kann man sich so vorstellen:
 ### Bipolarer Transistor und Schaltbild
 
 <left>
-Merksatz für PNP &rarr; Pfeil Nach Platte
+Merksatz für PNP $\rightarrow$ Pfeil Nach Platte
 </left>
 <right>
 [picture:374:e_schaltbild_npn_transistor:Schaltbild NPN-Transistor]
@@ -131,8 +131,8 @@ $U_{ BE } = U_{ B } - U_{ E }$
 Ist die Basis-Emitter-Spannung ausreichend und liegt sie im negativen Potential vor?
 Hier muss man auf die Vorzeichen achten und bei negativen Vorzeichen umdenken, Beispiele:
 
-* Basis $\qty{+5,6}{\volt}$ und Emitter $\qty{+6,2}{\volt}$<br/> &rArr; Die Basis-Emitter-Spannung ist negativ und beträgt $\qty{-0,6}{\volt}$
-* Basis $\qty{-2}{\volt}$ und Emitter $\qty{-1,4}{\volt}$<br/> &rArr; Die Basis-Emitter-Spannung ist negativ und beträgt $\qty{-0,6}{\volt}$
+* Basis $\qty{+5,6}{\volt}$ und Emitter $\qty{+6,2}{\volt} \rightarrow$ Die Basis-Emitter-Spannung ist negativ und beträgt $\qty{-0,6}{\volt}$
+* Basis $\qty{-2}{\volt}$ und Emitter $\qty{-1,4}{\volt} \rightarrow$ Die Basis-Emitter-Spannung ist negativ und beträgt $\qty{-0,6}{\volt}$
 
 ---
 

contents/slides/transistor_2.md

@@ -153,18 +153,18 @@ $R_1 = \frac{U_{\textrm{R1}}}{I_{\textrm{R1}}} = \frac{\qty{8,4}{\volt}}{\qty{11
 ---
 #### Lösungsweg
 
-* Kein Strom durch $R_1$ → keine Spannung über $R_2$
-* Basis liegt auf Massepotential → Transistor ist stromlos
-* Kein Spannungsabfall an $R_{\textrm{C}}$ → Kollektorpotential steigt auf Betriebsspannung
+* Kein Strom durch $R_1 \rightarrow$ keine Spannung über $R_2$
+* Basis liegt auf Massepotential $\rightarrow$ Transistor ist stromlos
+* Kein Spannungsabfall an $R_{\textrm{C}} \rightarrow$ Kollektorpotential steigt auf Betriebsspannung
 
 ---
 [question:AC520]
 ---
 #### Lösungsweg
 
-* $R_2$ ist stromlos → Basis ist über $R_1$ ist mit der Betriebsspannung verbunden
+* $R_2$ ist stromlos $\rightarrow$ Basis ist über $R_1$ ist mit der Betriebsspannung verbunden
 * Aufgrund der Dimensionierung ist der Basisstrom nun 11-fach höher als geplant
-* Kollektorstrom wird stark ansteigen → Spannungsabfall an $R_{\textrm{C}}$ steigt stark
+* Kollektorstrom wird stark ansteigen $\rightarrow$ Spannungsabfall an $R_{\textrm{C}}$ steigt stark
 * $U_{\textrm{CE}}$ sinkt auf den Sättigungswert von ca. $\qty{0,1}{\volt}$
 
 ---
@@ -298,8 +298,8 @@ MOSFET verhält sich wie ein ohmscher Widerstand
 ### Freilaufdiode
 
 * Relais wird über einen in Serie geschalteten Bipolartransistor betrieben
-* Transistor schaltet ein → Strom fließt durch die Relaisspule
-* Transistor schaltet ab → Strom in der Spule induziert negative Spannung am Transistor
+* Transistor schaltet ein $\rightarrow$ Strom fließt durch die Relaisspule
+* Transistor schaltet ab $\rightarrow$ Strom in der Spule induziert negative Spannung am Transistor
 * Kann zur Zerstörung des Transistors führen
 * Verhindern: *Freilaufdiode* parallel zum Relais in Sperrichtung verbauen
 * Induktionsspannung wird auf Diodenspannung begrenzt

contents/slides/uebertrager_2.md

@@ -7,7 +7,7 @@
 * Magnetisch gekoppelte Spulen
 * Veränderlicher Strom in einer Spule
 * Erzeugt Spannung in der anderen Spule
-* → Gegendinduktion
+* $\rightarrow$ Gegendinduktion
 </right>
 
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@@ -98,7 +98,7 @@ $\begin{split} ü &= \sqrt{\frac{Z_P}{Z_S}} = \sqrt{\frac{\qty{50}{\ohm}}{\qty{2
 * Leitung darf nicht zu warm werden
 * Sonst schmilzt die Isolation
 * Oder der Leiter glüht
-* &rarr; zulässige Stromdichte in Stromstärke bezogen auf den Leiterquerschnitt
+* $\rightarrow$ zulässige Stromdichte in Stromstärke bezogen auf den Leiterquerschnitt
 </left>
 <right>
 <fragment>

contents/slides/widerstand_materialien.md

@@ -16,7 +16,7 @@
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 [question:EC102]
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-## Metalloxid­schicht­widerstand
+## Metalloxidschichtwiderstand
 * Ähnlich wie Metallschichtwiderstand
 * Induktionsarm
 * Für hohe Frequenzen geeignet