fix: use kelvin for temperature coefficient instead of degree celsius
See https://github.com/DARC-e-V/50ohm-contents-dl/issues/196#issuecomment-4835315095
This commit is contained in:
@@ -1,3 +1,3 @@
|
||||
Die Durchlassspannung einer Halbleiterdiode ist temperaturabhängig. Mit steigender Temperatur benötigen die Ladungsträger weniger Energie, um die Sperrschicht zu überwinden.
|
||||
|
||||
Dadurch sinkt die Durchlassspannung einer Siliziumdiode typischerweise um etwa $\qty{2}{\milli\volt\per\celsius}$.
|
||||
Dadurch sinkt die Durchlassspannung einer Siliziumdiode typischerweise um etwa $\qty{2}{\milli\volt\per\kelvin}$.
|
||||
|
||||
Reference in New Issue
Block a user