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Mit dem Potentiometer $R_3$ wird die Gate-Vorspannung und damit der Arbeitspunkt der beiden LDMOS-Transistoren eingestellt.
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Wird der Schleifer von $R_3$ in Richtung 3 bewegt, nähert er sich dem Massepotential. Dadurch wird die Gate-Spannung kleiner. Die Gate-Source-Spannung $U_\mathrm{GS}$ beider Transistoren nimmt ab und die Transistoren leiten weniger stark.
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Der Drainstrom verringert sich somit in beiden Transistoren. |