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Die Durchlassspannung einer Halbleiterdiode ist temperaturabhängig. Mit steigender Temperatur benötigen die Ladungsträger weniger Energie, um die Sperrschicht zu überwinden.
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Dadurch sinkt die Durchlassspannung einer Siliziumdiode typischerweise um etwa $\qty{2}{\milli\volt\per\celsius}$. |