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[picture:136:a_emitterschaltung_schaltbild:Bipoltransistor in Emitterschaltung]
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* Eingangssignal: Quelle → Basis → Emitter → Masse → Quelle
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* Ausgangsignal: Kollektor → Last → Betriebsspannung → Masse → Emitter → Kollektor
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[question:AD409]
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[picture:136:a_emitterschaltung_schaltbild:Bipoltransistor in Emitterschaltung]
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* Arbeitspunkt (BIAS) wird über den Spannungsteiler an der Basis eingestellt
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[question:AD411]
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[picture:136:a_emitterschaltung_schaltbild:Bipoltransistor in Emitterschaltung]
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* Kollektorwiderstand wandelt Kollektorstrom in eine Spannung um
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* Kollektorstrom fließt in den Emitterstrom rein
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* Emitterwiderstand erzeugt Spannungsabfall und erhöht das Emitterpotenzial
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* Thermische Änderungen des Kollektorstroms werden automatisch ausgeglichen
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[question:AD413]
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[picture:136:a_emitterschaltung_schaltbild:Bipoltransistor in Emitterschaltung]
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* Ein- und Auskopplung über Koppelkondensatoren
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* Halten Gleichspannungsanteile aus der Netzspannung vom Arbeitspunkt fern
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[question:AD412]
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[picture:136:a_emitterschaltung_schaltbild:Bipoltransistor in Emitterschaltung]
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* Abblockkondensator führt unerwünschte HF- und NF-Signale aus der Betriebsspannung nach Masse ab
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* Phasenverschiebung zwischen Ein- und Ausgangssignal: 180º
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[question:AD407]
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[question:AD408]
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[picture:227:a_emitterschaltung_ohne_bias:Bipoltransistor in Emitterschaltung ohne Arbeitspunktvoreinstellung]
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* BIAS-Spannungsteiler entfällt
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* Ansteuerung erfolgt nur durch das zugeführte Signal
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* Basis-Emitter-Strecke leitet erst, wenn ca. 0,5 V überschritten werden
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* Bei Überschreitung fließt ein Kollektorstrom
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* Spannungsabfall am Ausgang
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[question:AD406]
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[picture:136:a_emitterschaltung_schaltbild:Bipoltransistor in Emitterschaltung]
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* Spannungsverstärkung ca. 100...300
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* Entfernung des Emitterkondensators → Verstärkungfaktor sinkt erheblich
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* Verstärkungsfaktor nur noch durch Verhältins Kollektor- zu Emitterwiderstand definiert
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Hohe Spannungsverstärkung
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[question:AD414]
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[question:AD415]
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[question:AD410]
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